AMAT 0205-00898 POLISHER 300MM CMP

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    化學機械平坦化 （CMP）
在制造微芯片的各個階段，晶圓的表面必須完全平坦（平坦化）。這樣做是為了去除多余的材料，或者為添加下一層電路功能創造一個完全平坦的基礎。為此，芯片制造商使用了一種稱為化學機械平坦化（CMP）的工藝。

CMP通過在晶圓背面施加精確的下壓力，并將前表面壓在特殊材料的旋轉墊上，該旋轉墊還含有化學品和研磨劑的混合物，從而去除晶圓正面表面的多余材料并使其平坦化。為確保適量的材料均勻地保留在整個 300 毫米晶圓上，該工藝必須在材料去除過程中施加不同數量的下壓力，同時在正確的點停止以避免拋光關鍵的基礎特征。

應用材料公司的控制系統連續測量晶圓上多個點的薄膜厚度，并每秒多次調整拋光下壓力，以在每個晶圓上產生一致的結果。整個 CMP 過程在短短 60 秒內完成，包括拋光后清潔，在此期間對晶圓進行清洗、沖洗和干燥，然后離開 CMP 系統。
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 Reflexion® LK Prime® CMP
Reflexion LK Prime CMP 系統具有使用四個拋光墊、六個拋光頭、八個清潔室和兩個具有先進工藝控制的干燥室的順序加工站，可為當今最先進的 CMP 應用提供精密加工和高生產率。Reflexion LK Prime CMP 針對兩步 CMP 應用進行了優化，同時保持了 Reflexion LK CMP 的性能。其更高的拋光和清潔能力（Reflexion LK CMP 為 14 個模塊，而 Reflexion LK CMP 為 7 個模塊）和優化的晶圓處理使許多應用的先前晶圓吞吐量提高了一倍，從而將生產率提高了 100%。
能夠獨立使用每個拋光和清潔站，可以靈活地運行順序、并行或批處理工藝，并在每個壓板上實現更大程度的定制。例如，3D NAND較厚的薄膜層和較寬的形貌需要長時間、穩定的拋光。在多個壓板上以一系列較短的拋光方式執行這些操作，可實現穩定、可預測的平坦化。這反過來又有助于優化晶圓上的性能并減少缺陷。與 Reflexion LK CMP 系統一樣，LK Prime 系統也采用了最新的拋光、清潔和過程控制技術，以確保在滿足未來設備節點要求方面實現最高水平的性能。

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